Intel claimt doorbraak, maakt geheugen 1.000 x sneller

Geschreven door

Franke Koornneef

Gecontroleerd door

Bram

Bijgewerkt op

29 juli 2015

×

Een revolutie in de wereld van flashgeheugens is aanstaande!

Een ontzettende bazendoorbraak waar de hele techsector wat aan heeft, dit is er een. Intel heeft in samenwerking met Micron namelijk een nieuw type opslaggeheugen gepresenteerd. Een techniek die flashkaarten en SSD-schijven naar eigen zeggen duizend keer sneller maakt. Jep, ze zijn even vol van zichzelf, maar lijken daar alle reden toe te hebben.

3D Xpoint

De bedrijven hebben het nieuwe type geheugen gecreëerd door de voordelen van NAND-geheugen (sedert 1989 op de markt), zoals het vasthouden van gegevens zonder stroomtoevoer, te combineren met met DRAM (dynamic random access memory). Kortgezegd: het nieuwe geheugen, dat Intel 3D Xpoint noemt, kan razendsnel gegevens beschikbaar stellen. De latency zou één-miljardste van een seconde bedragen.

Driedimensionaal schaakbord

Het geheugen is opgebouwd als een driedimensionaal schaakbord, waarbij de geheugencellen zich op de kruispunten bevinden. Hierdoor kunnen de cellen individueel worden geadresseerd, waardoor kleine stukjes data veel sneller kunnen worden gelezen of weggeschreven. Iets waarvoor ook geen transistors meer nodig zij en waardoor de dichtheid van de schijven veel hoger ligt.

Intel zal later dit jaar de 3D XPoint-techniek met een aantal geselecteerde partners delen, waarna het hopelijk niet lang meer duurt voordat onze hardware met gemak 8k games kan spelen. Een toepassing waarvoor dit type geheugen uitermate geschikt zou zijn, aldus de chipfabrikant.